大芯超導有限公司元器件專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC 碳化硅MOSFET模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，被廣泛應用于新能源領域,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現直流升壓降壓轉換，高壓側接入PV直流側，低壓側接電池組。
LLC諧振變換器能實現全負載范圍內開關管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關電源,其輸入輸出電壓調節范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優點.與傳統Si基功率器件相比,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊具有更加優良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出... [詳細介紹]