Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結(jié)合了成熟的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊和封裝技術(shù)的優(yōu)點。得益于多種封裝優(yōu)化，碳化硅的各種優(yōu)點得以充分利用。

碳化硅功率模塊換向電感降低可以實現(xiàn)SiC MOSFET的全速開關(guān)。更高的開關(guān)速度可以轉(zhuǎn)換成更高的開關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實現(xiàn)更高的功率密度。

碳化硅功率模塊的關(guān)鍵特性

更高的開關(guān)頻率，夠優(yōu)化濾波元件并降低其成本

冷卻設(shè)備更緊湊，降低功率損耗，從而提升效率并降低系統(tǒng)成本和規(guī)模

最新的碳化硅SiC MOSFET芯片

標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝，按照碳化硅的要求進行優(yōu)化：電感，低熱阻

針對實際應(yīng)用優(yōu)化芯片組 

碳化硅功率模塊的應(yīng)用 

太陽能逆變器：升壓電路和逆變器應(yīng)用

儲能系統(tǒng)：大效率和低噪聲

UPS：高效雙轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

電機驅(qū)動器：主動前端與電機側(cè)（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋）

電源：牽引應(yīng)用、感應(yīng)加熱等的助電源

領(lǐng)先的芯片和封裝技術(shù)，實現(xiàn)最大能效

混合碳化硅模塊：功率損耗降低50%，用簡便

IGBT開關(guān)與碳化硅肖特基二極管相結(jié)合

幾乎沒有二極管損耗，并顯著減少IGBT開關(guān)損耗

高速IGBT和碳化硅肖特基二極管使關(guān)損耗降低50%

輕松實現(xiàn)成本優(yōu)化的碳化硅解決方案：動器或系統(tǒng)無需進行重大設(shè)計變更，使用的碳化硅芯片面積小，能夠限制成本 

SiC MOSFET功率模塊主要應(yīng)用：太陽能逆變器，儲能系統(tǒng)，大功率汽車充電站，高效、高速電機驅(qū)動。